VPO-300 真空工艺烘箱适用于最大 300 x 300 mm 基板尺寸和最高 1000 °C 的温度
灯加热快速热退火 RTA 和快速热处理 RTP 设备正在使用灯加热,以便快速升温和冷却半导体晶圆。因此,该设备主要用于需要仅在短时间内使基板达到一定温度的应用。高斜坡率允许较短的整体工艺时间并保持晶圆的低热预算(这是晶圆暴露在高温下的总时间)。由于加热器的设计,这些 RTA 和 RTP 工具主要用于单晶圆处理。晶圆必须一张一张地处理。这不像其他使用立式炉和卧式炉的间歇式热工艺那么重要,因为无论如何处理时间都很短。
VPO-300 是一款冷壁烤箱。
UniTemp RTP 炉提供独特的灯管布置,具有上下交叉灯阵列。温度分布工具提供出色且无与伦比的温度均匀性,从而实现过程可重复性。
应用:
非常适合最大 300 毫米的晶圆或 最大 300 x 300 毫米的基板。
通过室壁可以引导不同的馈通,如光学测量工具的窗口、热电偶馈通、气体入口等。
由于快速达到 10E -3 hPa 的真空,工艺周期非常短。
以下是最可行的应用程序:
还可能使用其他污染过程的过程以及 RTP/RTA 烤箱的所有其他应用都是强制性的,例如:
退火工艺
快速热处理
SiAu、SiAl、SiMo合金化
低 k 电介质
植入后退火
商会:
腔体尺寸:350 x 350 x 50 mm
装载区域:300 x 300 毫米
腔室高度:50 mm(可选:腔室高度 100 mm,带观察窗 85mmx25mm)
可选:扩展开口高度:200 mm 至 300 mm
室壁:铝抛光,易于清洁(可选:不锈钢)
正在加载:
盖子垂直打开和关闭
根据要求自动应用的直接或远程控制(SPS、机器人等)。
加热:
底部加热:红外灯超过 21 kW
上部加热:红外灯越过 21 kW(可选)
冷却:
室:气体 N2
过程控制:
控制:带 7" 触摸屏的 SIMATIC SPS
50 个程序,每个程序可存储 50 个步骤
工艺气体:
1 个用于 5 nlm(=每分钟标准升)的质量流量控制器是标准配置
Optional: up to add. 3 gas lines (Nitrogen, Argon, Helium, Oxygen, optionally
Hydrogen)
Vacuum (optional):
MP (Membrane pump
RVP (Rotary vane pump): 10E -3 hPa. Vacuum sensor up to 10E -3 hPa
other pumps on request
Connections:
Power 2 x (400/230V, 21 kW)
Vacuum connector: KF 16/25
Exhaust: KF16 rear site
Gas lines: Swagelok 6 mm compression fitting
Cooling water supply: 10 mm/12mm
Compressed dry air (CDA), 6 mm OD, 5 - 6 bar
Dimension/weight:
Dimension: 540 x 690 x 890 mm (w x d x h)
Weight: about 140 kg
VPO-MFC | Mass Flow Controller (max. 3 pcs) |
VPO-RVP | Rotary vane pump for vacuum up to 10exp.-3 with oil filter |
VPO-SS | Chamber made of stainless steel instead of Alu (polished) 50 mm |
VPO-H2 | Hydrogen module |
VPO-GP | Graphite Plate 3 mm thick |
VPO-QP | Quartz plate for separation of the top lamp area |
VPO-QH | 石英通用支架,适用于 100 毫米至 300 毫米晶圆尺寸(星形) |
VPO-TC | 在设备上测量的附加热电偶(插入腔室);对于外部测量工具最大。4个 |
WC-III | 闭环水冷系统 |
真空 | 我们提供不同的真空泵和真空设备 |
VPO-SI | VPO 系统和外部 PC 之间的串行接口使用 USB 2.0 端口并通过 USB 2.0 电缆 |
VPO-RC | 远程控制顶盖和关闭,包括与外部机柜的安全连接 |