VPO-300 真空工艺烘箱适用于最大 300 x 300 mm 基板尺寸和最高 1000 °C 的温度

灯加热快速热退火 RTA 和快速热处理 RTP 设备正在使用灯加热，以便快速升温和冷却半导体晶圆。因此，该设备主要用于需要仅在短时间内使基板达到一定温度的应用。高斜坡率允许较短的整体工艺时间并保持晶圆的低热预算（这是晶圆暴露在高温下的总时间）。由于加热器的设计，这些 RTA 和 RTP 工具主要用于单晶圆处理。晶圆必须一张一张地处理。这不像其他使用立式炉和卧式炉的间歇式热工艺那么重要，因为无论如何处理时间都很短。
VPO-300 是一款冷壁烤箱。

UniTemp RTP 炉提供独特的灯管布置，具有上下交叉灯阵列。温度分布工具提供出色且无与伦比的温度均匀性，从而实现过程可重复性。

应用：

非常适合最大 300 毫米的晶圆或 最大 300 x 300 毫米的基板。

通过室壁可以引导不同的馈通，如光学测量工具的窗口、热电偶馈通、气体入口等。
由于快速达到 10E -3 hPa 的真空，工艺周期非常短。

以下是最可行的应用程序：

还可能使用其他污染过程的过程以及 RTP/RTA 烤箱的所有其他应用都是强制性的，例如：

• 退火工艺

• 快速热处理

• SiAu、SiAl、SiMo合金化

• 低 k 电介质

• 植入后退火

商会：

• 腔体尺寸：350 x 350 x 50 mm

• 装载区域：300 x 300 毫米

• 腔室高度：50 mm（可选：腔室高度 100 mm，带观察窗 85mmx25mm）

• 可选：扩展开口高度：200 mm 至 300 mm 

• 室壁：铝抛光，易于清洁（可选：不锈钢）

正在加载：

• 盖子垂直打开和关闭

• 根据要求自动应用的直接或远程控制（SPS、机器人等）。

加热：

• 底部加热：红外灯超过 21 kW

• 上部加热：红外灯越过 21 kW（可选）

 冷却：

• 室：气体 N2

过程控制：

• 控制：带 7" 触摸屏的 SIMATIC SPS

• 50 个程序，每个程序可存储 50 个步骤

工艺气体：

• 1 个用于 5 nlm（=每分钟标准升）的质量流量控制器是标准配置

• Optional: up to add. 3 gas lines (Nitrogen, Argon, Helium, Oxygen, optionally
  Hydrogen)

Vacuum (optional):

• MP (Membrane pump

• RVP (Rotary vane pump):  10E -3 hPa. Vacuum sensor up to 10E -3 hPa

• other pumps on request

Connections:

• Power 2 x (400/230V, 21 kW)

• Vacuum connector: KF 16/25

• Exhaust: KF16 rear site

• Gas lines: Swagelok 6 mm compression fitting

• Cooling water supply: 10 mm/12mm

• Compressed dry air (CDA), 6 mm OD, 5 - 6 bar

Dimension/weight:

• Dimension: 540 x 690 x 890 mm (w x d x h)

• Weight:   about 140 kg